英飛凌 HEXFET 功率 MOSFET 采用最新加工技術，實現了低每硅面積導通電阻。這一優勢與 HEXFET 功率 MOSFET 眾所周知的快速切換和堅固耐用的器件設計相結合，為設計人員在汽車和各種其他應用中帶來了一款超高效和可靠的器件。
高級加工技術
低導通電阻
動態 dv/dt 額定值
工作溫度 175 °C
快速開關
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 195 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
