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      Infineon IPD60R3K3C6 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IPD60R3K3C6      品牌:英飛凌_Infineon

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

      -
      +

      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
      電 話:
      手 機(jī):
      地 址:
      通 訊:    
      主營(yíng)產(chǎn)品:
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      Infineon IPD60R3K3C6 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon CoolMOS?C6/C7 功率 MOSFET

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 1.7 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 TO-252
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 7.72 Ω
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 3.5V
      最小柵閾值電壓 2.5V
      最大功率耗散 18.1 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      寬度 6.22mm
      最高工作溫度 +150 °C
      長(zhǎng)度 6.73mm
      典型柵極電荷@Vgs 4.6 nC @ 10 V
      晶體管材料 Si
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無(wú)
      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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