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Infineon IPP200N25N3GXKSA1 MOSFET

訂貨號(hào)：IPP200N25N3GXKSA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

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Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，100V 及以上

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	64 A
最大漏源電壓	250 V
封裝類型	TO-220
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	20 MΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	300 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
長(zhǎng)度	10.36mm
每片芯片元件數(shù)目	1
最高工作溫度	+175 °C
寬度	15.95mm
典型柵極電荷@Vgs	64 nC @ 10 V

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