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      Toshiba TK12P60W,RVQ(S MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：TK12P60W,RVQ(S        品牌：東芝_Toshiba
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：
      
                      
       RoHS：符合 
      
                      
       市 場 價：￥0.00                 品 牌 商：￥0.00
      
                  
      
                  
      
               
      
 
               
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              主營產品：
              
      
           
      
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               Toshiba TK12P60W,RVQ(S MOSFET
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      MOSFET 晶體管，Toshiba
      
                    
                
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    11.5 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    600 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    DPAK (TO-252)
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    340 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    3.7V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    100 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -30 V、+30 V
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    25 nC @ 10 V
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
                
      
                    寬度
                    6.1mm
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
                
      
                    長度
                    6.6mm
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
        
                  
      
          
      

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