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Infineon IRFH8337TR2PBF MOSFET

訂貨號(hào)：IRFH8337TR2PBF 品牌：IR/國(guó)際整流器

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場(chǎng) 價(jià)：￥0.00 品牌商：￥0.00

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Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問(wèn)題。在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

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屬性	數(shù)值
通道類(lèi)型	N
最大連續(xù)漏極電流	35 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類(lèi)型	PQFN
安裝類(lèi)型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	19.9 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	2.35V
最小柵閾值電壓	1.35V
最大功率耗散	27 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	5mm
最高工作溫度	+150 °C
長(zhǎng)度	5.85mm
典型柵極電荷@Vgs	10 nC @ 10 V

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