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      Infineon IPP80P04P4L04AKSA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：IPP80P04P4L04AKSA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：
      
                      
       RoHS：符合 
      
                      
       市 場 價：￥0.00                 品 牌 商：￥0.00
      
                  
      
                  
      
               
      
 
               
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              主營產品：
              
      
           
      
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               Infineon IPP80P04P4L04AKSA1 MOSFET
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      Infineon OptiMOS?P P通道功率MOSFET
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon OptiMOS? P通道功率MOSFET設計用于提供增強功能，以滿足高質量性能要求。功能包括超低開關損耗，通態(tài)電阻，雪崩額定值以及通過AEC認證的汽車解決方案。應用包括DC-DC，電機控制，汽車和eMobility。
         
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            增強模式
      耐雪崩等級 
      低切換和傳導功率損耗 
      無鉛引線電鍍；符合RoHS標準 
      標準封裝 
      OptiMOS?P通道系列：溫度范圍為-55°C至+175°C 
                        
                    
      
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    P
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    80 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    40 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    TO-220
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    通孔
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    7.1 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    2.2V
                
      
            
                
      
                    最小柵閾值電壓
                    1.2V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    125 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -16 V、+16 V
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +175 °C
                
      
            
                
      
                    長度
                    10mm
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    135 nC @ 10 V
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
                
      
                    寬度
                    4.4mm
                
      
            
        
                  
      
          
      

      暫無
      
          
      
          
      
               
        
                     
                   
      
            
      
             
      

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