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Infineon IRF7842TRPBF MOSFET

訂貨號：IRF7842TRPBF 品牌：IR/國際整流器

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Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設(shè)備，外形可應(yīng)對幾乎任何板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)。在整個范圍內(nèi)，基準導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

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屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	18 A
最大漏源電壓	40 V
封裝類型	SOIC
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	5.9 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	2.25V
最小柵閾值電壓	1.35V
最大功率耗散	2.5 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	33 nC @ 4.5 V
寬度	4mm
晶體管材料	Si
長度	5mm

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