久久久精品麻豆,中文精品久久久久国产不卡,国产一在线精品一区在线观看

分類：

當(dāng)前位置：首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比較

Infineon IRF9Z34NPBF MOSFET

訂貨號：IRF9Z34NPBF 品牌：IR/國際整流器

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

市場價：￥0.00 品牌商：￥0.00

暫無報價

立即購買加入購物車立即詢價

公司基本資料信息

聯(lián)系人：(女士)
電話：
手機：
地址：
通訊：

主營產(chǎn)品：

店鋪主頁

您還不是會員，無法查看相關(guān)信息

去登錄

替代產(chǎn)品
關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

Infineon P通道功率MOSFET 40V到55V

Infineon的分立式HEXFET?功率MOSFET系列包括采用表面安裝和引線封裝的P通道器件，以及可應(yīng)對幾乎所有電路板布局和散熱設(shè)計難題的外形尺寸。在整個系列內(nèi)，電阻基準(zhǔn)降低了傳導(dǎo)損耗，使設(shè)計人員能夠提供最佳的系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護(hù)功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	19 A
最大漏源電壓	55 V
封裝類型	TO-220AB
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	100 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	4V
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	68 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs	35 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	Si
寬度	4.69mm
最高工作溫度	+175 °C
長度	10.54mm

暫無

正在載入評論詳細(xì)...

工業(yè)電氣產(chǎn)品

工業(yè)控制產(chǎn)品

傳感測量產(chǎn)品

儀表工具產(chǎn)品

工業(yè)電子產(chǎn)品

機械設(shè)備產(chǎn)品

Infineon IRF9Z34NPBF MOSFET

公司基本資料信息

推薦商品

Infineon P通道功率MOSFET 40V到55V

MOSFET 晶體管，Infineon

新手指南

業(yè)務(wù)合作

物流配送

支付方式

售后服務(wù)

關(guān)于我們