根據新協議,恒憶和海力士將擴大聯合開發的范圍,共同提供領先的NAND存儲器技術和產品,并且整合資源以加快未來NAND技術及解決方案的開發。在應用于手機多芯片封裝的移動DRAM領域,雙方也將進行合作。

恒憶總裁兼首席執行官Brian Harrison表示:“未來五年,在NAND市場實現增長和成功需要具備多種能力,而我們相信與海力士合作將讓我們具備這樣的能力。通過整合雙方的資源,加上海力士在成本控制上的不懈努力,我們相信我們將擁有領先的技術、有效的成本且可擴展的制造能力以及行業領先的存儲器系統專業技術,從而能夠快速向市場推出系統級的NAND解決方案。海力士對我們專業技術的補充必將增強我們在NAND,特別是無線領域的領導地位。”

海力士公司董事會主席兼首席執行官Jong-Kap Kim表示:“要在飛速發展半導體行業取得成功并不簡單,聯合解決技術問題可以整合兩家公司的優勢,從而降低獨自行動所帶來的風險。未來的聯合技術開發將是雙方合作取得成功的關鍵。在產品、軟件和控制器領域的系統化聯合開發將有助于我們快速推出新產品,可以預期我們將在開發存儲器解決方案方面取得重大進展。海力士與恒憶將采用領先的技術開發全系列產品,共同在NAND市場取得更大的成功。現在,我們擁有了全球最龐大的NAND設計團隊,共同為現在和未來開發新的NAND存儲器解決方案,我們期待著延續過去的成功歷史。”

隨著技術的發展以及光刻節點變得越來越小,制造NAND存儲器也變得越來越復雜。電荷捕獲型NAND預期將取代目前主流的浮動門NAND技術,而恒憶在NOR閃存技術上的豐富經驗將對此作出積極貢獻。要應對這個挑戰,存儲器供應商需要在未來五年更深入地了解器件的物理性能和整體存儲器系統級解決方案。

恒憶軟件技術將有助于存儲器供應商達到上述要求,并對市場滲透產生正面影響,提升microSD、eMMC和SSD等集成NAND解決方案的市場份額。恒憶與海力士的合作將帶來重大的整合效應,而恒憶在解決非易失性存儲器挑戰方面有40年的歷史并且在開發固件、微控制器和其他系統解決方面擁有豐富的經驗,這些因素都將在NAND從原始芯片向系統的轉變中起關鍵作用。

除了在NAND上的合作,兩家公司在中國無錫的合資企業目前正計劃生產300毫米低功耗移動DRAM。兩家公司針對移動設備的解決方案中均采用了與多芯片封裝中的非易失性存儲器進行普通堆疊的移動DRAM。在移動DRAM上的合作讓兩家公司能夠向需要小型設備的客戶提供更多成本效益高的低功耗多芯片存儲器子系統。海力士在今年四月份推出了世界上速度最高的1Gb LPDDR2產品,成為移動DRAM產品行業的領袖。其在產品多樣化、技術、性能以及兼容SDR/DDR接口方面保持領先,提供單芯片解決方案。