器件不僅具有在 柵極驅動電壓下最大毫歐的業界最佳導通電阻性能，而且還具有 98 毫歐-納庫侖的業界最佳導通電阻與柵極電荷乘積指標

賓夕法尼亞 MALVERN — 2008 年 3 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新型第三代 TrenchFET? 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀錄的導通電阻性能和導通電阻與柵極電荷乘積指標。
新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK? SO-8 封裝的 N 溝道器件，在 柵極驅動電壓下具有 毫歐的最大導通電阻。導通電阻與柵極電荷乘積是 DC-DC 轉換器應用中 MOSFET 的關鍵優值系數（FOM），Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值為 98 --- 創造了任何采用 SO-8 封裝的 VDS = 30V、VGS = 20 V 器件的新的業界紀錄。與分別為實現低導通損耗和低開關損耗而優化的最接近的競爭器件相比，Vishay的新器件代表了市場上最佳的可用規格。更低的導通電阻及更低的柵極電荷意味著更低的導通損耗和更低的開關損耗。

Vishay Siliconix Si7192DP 將作為同步降壓式轉換器及次級同步整流和 OR-ing 應用中的低端 MOSFET，其低導通及低開關損耗將有助于穩壓器模塊（VRM）、服務器及采用負載點（POL） 功率轉換器的眾多系統實現更高功效且更節省空間的設計。

Siliconix 創建于 1962 年，是業界率先推出溝道功率 MOSFET 的供應商，并于 1996 年成為 Vishay 的子公司。該公司的 TrenchFET IP 包含眾多專利，其中包括可追溯到 20 世紀 80 年代初的基礎技術專利。每種新一代 TrenchFET 技術均可滿足各種計算、通信、消費類電子及許多其他應用對更高功率 MOSFET 性能的需求。

目前，Si7192DP 已開始提供樣品和批量生產，大宗訂單的交貨周期為 10 至 12 周。

VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大制造商之一。這些元件幾乎可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。其產品創新、成功的收購戰略，以及提供“一站式”服務的能力使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，可以訪問 Internet 網站 。