Infineon技術(shù)AG宣布已經(jīng)同意認證IBM的嵌入式flash存儲制造工藝。130-nm級工藝將投入到IBM在北美的生產(chǎn)中,Infineon同時說未來基于該工藝的產(chǎn)品將采用IBM的代工。

自2006年年初以來,Infineon的130-nm級嵌入式flash工藝已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn),被在從汽車系統(tǒng)到智能卡等設(shè)備的微處理芯片中。

“我們達成這項認證和代工協(xié)議從而拓展我們?yōu)榕cIBM之間長期以來的合作與技術(shù)發(fā)展而感到欣慰。” Infineon的汽車,工業(yè)和多市場部門主管Peter Bauer說。“通過這種合作,Infineon依靠自身IP工藝優(yōu)勢,贏得了新的量產(chǎn)基地,加強了與長期伙伴之間的工作關(guān)系。

“通過與嵌入式Flash技術(shù)的世界級巨頭之一Infineon的合作,將加大我們在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資比重。”IBM全球工程解決方案負責(zé)半導(dǎo)體方面的副總裁Steve Longoria說。“這項認證協(xié)議將會為我們提供流行的技術(shù)基礎(chǔ)支持并完善我們的類似和混合信號專業(yè)技術(shù)。”

這種工藝的整合和認證工作已經(jīng)在IBM位于Vermont州Burlington的200-nm晶圓工廠啟動,并計劃在在2008年下半年完成具備可行性的整套初步設(shè)計。