相變內(nèi)存(Phase Change Memory,PCM)是近年來內(nèi)存業(yè)界熱門研發(fā)主題之一,針對此一新式內(nèi)存技術(shù)發(fā)展趨勢與廠商專利現(xiàn)況,工研院IEK-ITIS計劃發(fā)表最新研究報告指出,臺灣地區(qū)已有不少廠商投入該技術(shù)的研發(fā),相較于FeRAM與MRAM,在PCM領(lǐng)域發(fā)展機會較大。

工研院IEK-ITIS計劃分析師陳俊儒表示,相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源,但受限于當時半導體工藝技術(shù),相變化材料在2000年以前的商業(yè)應(yīng)用還是以光盤片為主；直到2000年后,相變化材料制作的相變內(nèi)存無論是在專利布局、芯片試產(chǎn)及學術(shù)論文上開始有優(yōu)異的表現(xiàn)。

其中一家PCM廠商Ovonyx于1999年成立,將其PCM發(fā)展策略設(shè)定在智財(Intellectual Property,IP)商業(yè)模式,提供技術(shù)以推動PCM進入內(nèi)存市場。陳俊儒指出,目前Ovonyx擁有的他國專利申請數(shù)量是全球最多,美國專利數(shù)第二(僅次于Micron),還獲得Intel的投資,以及授權(quán)給ST、Elpida、Samsung及Qimonda等半導體大廠。

投資Ovonyx的廠商Intel還準備推出128Mb PCM樣品,并計劃在2007年下半年采用90納米技術(shù)進行量產(chǎn)。陳俊儒表示,這種稱為Alverstone的產(chǎn)品是Intel的首款PCM產(chǎn)品,是與NOR Flash兼容的替代產(chǎn)品。Intel技術(shù)長Justin Rattner并曾指出,Intel的理想目標是讓128Mb PCM成為NOR Flash閃存的替代品,而該公司將持續(xù)最佳化PCM的量產(chǎn)工藝。

Ovonyx的授權(quán)廠商Samsung也將開始供應(yīng)PCM的評估測試樣品,該公司目前向多家大型手機廠商提供的是256Mb和512Mb的90nm產(chǎn)品。為了準備2008年上半年的量產(chǎn),該公司還計劃在2007年第2季和2007年年底,分別開始供應(yīng)工程樣品和商用樣品。

陳俊儒表示,Samsung是從2006年下半年開始量產(chǎn)90nm工藝NOR Flash,落后于同期開始量產(chǎn)65nm產(chǎn)品的Intel。為此,Samsung希望以替代NOR Flash為目的,盡早創(chuàng)造出PCM被采用的實際業(yè)績,以便在與其它公司的競爭中占據(jù)領(lǐng)先地位。

根據(jù)ITRS預(yù)測,PCM的Cell Size于2011年將小于NOR Flash,未來可望大規(guī)模取代NOR Flash市場(營收約72億美元),未來市場潛力較FeRAM和MRAM大。陳俊儒表示,目前先進廠商投入PCM的研發(fā)較晚,臺灣地區(qū)廠商投入PCM研發(fā)者,相較于FeRAM與MRAM反而來的多,多屬于DRAM揮發(fā)性內(nèi)存廠商。

因此陳俊儒認為,臺灣地區(qū)廠商若是未來計劃大規(guī)模切入非揮發(fā)性內(nèi)存市場,相較于FeRAM與MRAM,投入PCM研發(fā)是比較有機會的。