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      SST與授權華虹NEC使用微米制程閃存技術

      發布日期:2022-07-15 點擊率:45

      閃存技術廠商超捷半導體(SST)與上海華虹NEC電子有限公司(HHNEC)日前宣布雙方公司加強合作關系,使HHNEC能提供基于SST 微米閃存技術的代工服務,此外,HHNEC還將為其客戶授權SST的微米閃存技術來生產ASIC、微控制器及其他產品

      根據協議,SST將開發并向在HHNEC生產的客戶提供閃存技術IP核。同時依據雙方2002年的聲明,HHNEC仍將繼續生產基于微米工藝的產品。

      “我們已成功地導入了SST的 微米閃存技術并達到滿載量產。”HHNEC總裁方朋稱,“閃存工藝架構適用于廣泛的產品系列,我們非常高興能進一步引進微米工藝架構來繼續支持并滿足客戶不斷提升的設計層次。”

      SST將向客戶提供閃存技術 的IP核。優化微米閃存技術,包括多種密度、記憶配置和分區尺寸以滿足眾多應用軟件的要求。這些IP核將由SST在上海市浦東新區張江高科技園的設計團隊研發。

      據了解,超捷(SST)是最早進入成長快速的中國半導體產業的美國閃存公司之一,同時也據稱是為中國設計業者生產嵌入式閃存的最早的供貨商。超捷于2001年3月在中國成立子公司冠捷(SST China),為中國設計業者提供嵌入式閃存的設計與制造服務,同時也在中國研發并銷售閃存、Flash/RAM復合型產品(combo)及嵌入式控制器等產品。

      超捷(SST)的超快閃技術屬于NOR型號分裂閘(split-gate)單元構架,其采用厚氧化物制程,并不需要過多生產步驟,即可生產出資料儲存能力優越與高可靠度的低成本、非揮發性內存解決方案。分裂閘NOR超快閃架構提供簡單、富彈性的設計,適用于高效能、高可靠度、中或小尺寸、系統內或外程序與各種不同密度的單一CMOS兼容技術。


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