嵌入RISC處理器IP供應商ARM公司宣稱,將攜手日本兩家機構,推動其ARM7TDMI內核用于90納米制造工藝技術。

ARM聲稱將與日本兩家機構Advanced SoC Platform Corporation(ASPLA)晶圓生產廠及Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC)設計團體合作。ASPLA及STARC均屬協作性的研究組織,其會員包括富士通、松下、NEC電子、Renesas、東芝及六家其它企業。

11家成員公司將緊密配合,使系統級芯片設計IP元件標準化,并建立一個設計和制造技術平臺。各方期望其成效能推動日本90納米及以下工藝技術的器件加工。

ARM表示,該公司將與由日本領先集成器件制造商興建的晶圓生產廠ASPLA合作開發主流及低功率工藝技術,還尋求將ARM內核與ASPLA 90納米工藝接口。此后,ARM將向ASPLA及STARC會員及其它采用ASPLS工藝的公司授權內核布局。

ARM KK總裁Takio Ishikawa在一項聲明中表示,“隨著ASPLA的90納米制造工藝引起我們日本現有合作伙伴及新投資商的興趣,與STARC和ASPLA的協作將使ARM內核在日本市場的應用更為普及。STARC和ASPLA采用ARM7TDMI內核是首要舉措,緊接著將擴展到更高性能的ARM內核。”

預計2003年第四季度,ARM7TDMI內核可以與ASPLA 90納米制造工藝技術實現端接。