半導體激光器的小型化、集成化是今后發展的一個重要方向。半導體電泵浦微腔激光器由于體積小、功耗低、可以實現單片全光集成回路、滿足光計算和光通信特別是超大規模光子回路的要求等特點而日益引起廣泛的關注。“半導體電泵浦集成微腔激光器”的研制，在InGaAs/InGaAsP/InP及InGaAs/GaAsP/GaAs系列材料的濕法刻蝕工藝和微米尺寸的器件圖形轉移和高精度套刻方法上獲得了突破，不僅初步實現了WGM模式微腔激光器中激光通過集成條波導的定向導出，還首次采用多量子阱微腔激光器與輸出直波導集成的新結構，研制出808nm、980nm及波段的電泵浦微腔結構激光器。該激光器微柱或微環最小直徑為20mm，條波導最小寬度為5mm，可觀察到強的波導輸出。其無論在經濟效益，還是在社會效益上都將有極為重要的價值。

光纖激光器”，的研究中，解決了光纖端面解理、拋光和大芯徑光纖間的連接等關鍵技術；提出化學蝕刻與相位掩模法相結合的新方法在雙包層光纖上制備出反射波長為1080nm的光纖光柵；利用光纖光柵作為反射腔鏡的全光纖結構實現了連續輸出，輸出中心波長為，峰值半寬為，斜效率為62.6%，輸出近衍射單橫模。該光纖激光器這種潔凈的能源更為環保，進一步開展工程化研究，可以滿足國內急需，市場前景十分廣闊。