日前參加微波技術與工藝研討會(放大器" target=_blank>MTT-S)的一個專家討論小組得出這樣一個結論:RF CMOS可能還未迎來黃金時段,至少是在手機功率放大器領域,而砷化鎵(GaAs)將繼續在該領域處于主導地位。

諾基亞的RF工程與技術經理Fazal Ali估計,2004年手機出貨量約為億部,每部電話中有兩或三個放大器,總計接近20億個。他問這些功率放大器(PA)中有多少是CMOS,顯然暗示答案是“不太多”。

來自HVVi公司的Mike Golio表示,問題是未來的使用。該專家組還考慮了在手機中取代GaAs的可能性,以及CMOS PA能否最終主宰手機市場。另一個問題是,將來它們是否能與化合物半導體工藝或硅雙極結式晶體管共存。

專家組認為,RF CMOS和GaAs不是同一類東西。作為分立晶體管,GaAs是非常有效率的天線驅動器和功率放大器,具有非常好的RF性能。Golio表示,RF CMOS作為一種集成技術受到青睞,因為該特點可能使RF收發器能夠與基帶處理器共存。但這種情形如何及何時出現,甚至連CMOS的鼓吹者也說不上來。

來自GaAs晶體管制造商Anadigics的Aditya Gupta堅持認為,RF CMOS是“空頭支票”,可能永遠也達不到GaAs的性能水平--除非放大器是采用微米工藝制造的,這時候無法匹配利用和微米工藝制造的普通基帶處理器。

Gupta堅持認為,CMOS手機放大器市場沒有什么商業性成功。制造GaAs和硅分離器件模塊的Skyworks Solutions Inc.的Pete Zampard補充說,“CMOS不能夠滿足我們要求的規格。”

對CMOS最有力的論據來自加州理工學院的教授Ali Hajimari。他說,CMOS的集成性已經表明,它在藍牙和許多Wi-Fi應用中具有很好的性價比。他承認,CMOS可能在接收器領域取得比在發射器領域更大的進展,但他不愿對集成目標放棄希望。

參加討論的專家一致認為,GaAs、RF CMOS和BiCMOS (以SiGe作為雙極摻雜)可能將在未來的許多系統中共存。