日本DRAM制造商Elpida Memory公司日前表示,已經采用100納米制造工藝開發出1Gb DDR2 SDRAM,數據傳輸率超過533Mbps。該公司宣稱這是目前業界速率最快和存儲容量最高的存儲器產品,將用于服務器應用。

“1GB是DRAM密度的下一個重要里程碑,而DDR2是現在最先進的DRAM架構。”Elpida總裁兼首席執行官Yukio Sakamoto表示,“這次推出的產品是在我們300毫米晶圓廠中利用微米技術制造出來的。”

Elpida公司表示,選擇不同金屬,相同的硅芯片模(Silicon Die)可以用于制造DDR和DDR2器件。該公司計劃推出用于服務器和工作站的4Gb雙列直插存儲模塊(DIMM),2Gb無緩存DIMM將用于臺式電腦,小尺寸2Gb無緩存DIMM將用于筆記本電腦中。

據悉,Elpida公司計劃于2003年11月推出的1Gb DDR2 SDRAM樣片,并將在2004年初進行量產,但何時推出采用該元件的內存模塊還沒有具體計劃表。