8通道的DG508B和4通道的DG509B采用獨特的設計，非常適用于模數轉換網絡的模擬前端中的高精度復用，這種應用中需要更快和更精確的數據采集性能。DG508B和DG509B CMOS將最大電壓等級提升到44V，具有軌到軌模擬輸出能力，可以在雙電源或單電源配置下工作。

器件采用增強的SG-II CMOS工藝制造，在處理寬擺幅的模擬信號時，通道的典型關斷泄漏電流小于3pA。源關閉時的寄生電容僅為3pF，電荷注入小于2pC，從而實現了精確、低電涌的開關性能。

器件具有超低功耗，可保證在整個工作溫度范圍內的最大電流不大于600 μA，這要比市場上其他最好的器件還要低60%，這使得DG508B和DG509B能夠勝任便攜式、電池供電的應用。

增強的SG-II CMOS工藝也使得新器件在大于200MHz的帶寬下的衰減只有-3dB，在100MHz時的串擾合關閉隔離達到-40dB，這使得DG508B和DG509B可勝任包括視頻在內的各種各樣模擬信號應用。

DG508B和DG509B的導通通道能夠在兩個方向上都同樣良好地導電，每個通道在關閉狀態下能夠阻斷和電源軌一樣高的電壓。復用器具有使能功能，在遇到多個堆疊的器件時，能夠把所有開關復位至關閉狀態。器件的其他特性還包括與TTL兼容的邏輯和先開后合的開關動作，能夠保護器件免受相鄰通道間瞬時串擾的影響。

DG508B和DG509B均提供16腳的SOIC和TSSOP封裝，可在- 40℃～+125℃的擴展溫度范圍內工作。器件采用無鉛端子，符合RoHS指令和IEC 61249-2-21的無鹵素規定。