此 Infineon 600V cool mos P7 超結 mosfet 可在設計過程中繼續兼顧高效率和易用性。杰出的 ronxa 和 cool mos ? 7th 系列平臺固有的低柵極電荷 (qg) 確保了其高效率。
它具有堅固的主體二極管
集成式設計可降低 mosfet 振蕩靈敏度
屬性 | 數值 |
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通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 26 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.12. Ω |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數目 | 1 |