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      Vishay SiDR104ADP-T1-RE3 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：SiDR104ADP-T1-RE3        品牌：威世_Vishay
      
                      
       庫存數(shù)量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
       環(huán) 球 價：
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               Vishay SiDR104ADP-T1-RE3 MOSFET
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                            Vishay n 溝道 100 v （ d-s ） mosfet 具有超低 rds x qg 品質因數(shù)（ fom ）。它調諧為最低 rds x qoss fom 。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            trench場 效應第四代功率 mosfet
      經過 100% rg 和 uis 測試 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    81 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    100 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    Powerpak so - 8DC
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    8
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.0061 Ω
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    4V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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