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      Infineon IPW60R099P6XKSA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPW60R099P6XKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPW60R099P6XKSA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      英飛凌的 cool mos P6 超級結(jié) mosfet 系列設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率、同時(shí)易于設(shè)計(jì)。 cool mos P6 消除了專注于提供終極性能的技術(shù)與專注于易用性的技術(shù)之間的差距。

      降低柵極電荷( q g )
      更高的 v
      良好的主體二極管堅(jiān)固性
      優(yōu)化的集成 r g
      dv/dt 從 50V 提高到 nds/ ns
      超酷 mos ?質(zhì)量,具有 12 年以上的制造經(jīng)驗(yàn) 超級連接技術(shù)
      提高效率、尤其是在輕負(fù)載條件下
      由于更早的關(guān)閉、在軟切換應(yīng)用中效率更高
      適用于硬切換和軟切換拓?fù)?br>優(yōu)化了效率和易用性與良好之間的平衡 切換行為的可控性
      高堅(jiān)固性和更高的效率
      卓越的質(zhì)量和可靠性


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 109 a
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 Pg 至 247
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 0.099 o
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4..5V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      暫無

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