英飛凌的 cool mos P6 超級結(jié) mosfet 系列設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率、同時易于設(shè)計(jì)。 cool mos P6 消除了專注于提供終極性能的技術(shù)與專注于易用性的技術(shù)之間的差距。
降低柵極電荷( q g )
更高的 v
良好的主體二極管堅(jiān)固性
優(yōu)化的集成 r g
dv/dt 從 50V 提高到 nds/ ns
超酷 mos ?質(zhì)量,具有 12 年以上的制造經(jīng)驗(yàn) 超級連接技術(shù)
提高效率、尤其是在輕負(fù)載條件下
由于更早的關(guān)閉、在軟切換應(yīng)用中效率更高
適用于硬切換和軟切換拓?fù)?br>優(yōu)化了效率和易用性與良好之間的平衡 切換行為的可控性
高堅(jiān)固性和更高的效率
卓越的質(zhì)量和可靠性
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 109 a |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | Pg 至 247 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.099 o |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 4..5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |