N 溝道 40 V，7.6 mΩ 邏輯電平 MOSFET 采用 LFPAK56 封裝，邏輯電平 N 溝道 MOSFET 采用 LFPAK56 (Power SO8) 封裝，使用 TrenchMOS 技術。此產品經過設計符合 AEC Q101 標準，可用于高性能汽車應用。
符合 Q101 標準
重復性耐雪崩等級
由于額定溫度為 175 °C，適用于對熱量要求苛刻的環境
邏輯高電平驅動，在 175 °C 時，柵極 VGS(th) 額定值大于 0.5 V
12 V 汽車系統
電動機、燈和電磁閥控制
傳輸控制
超高性能功率開關
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 79 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | LFPAK56，Power SO8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 15.28 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.45V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.5V |
| 最大功率耗散 | 95 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 15 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 長度 | 5mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| 寬度 | 4.1mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
