產(chǎn)品分類

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      STMicroelectronics STP4N62K3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      N 通道 MDmesh? K3 系列,SuperMESH3?, STMicroelectronics

      MOSFET 晶體管,STMicroelectronics


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 3.8 A
      最大漏源電壓 620 V
      封裝類型 TO-220
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 2 Ω
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4.5V
      最小柵閾值電壓 3V
      最大功率耗散 70 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      長度 10.4mm
      最高工作溫度 +150 °C
      晶體管材料 Si
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 4.6mm
      典型柵極電荷@Vgs 22 nC @ 10 V
      暫無

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