TrenchFET? Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 60 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SO-8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 4 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 最小柵閾值電壓 | 3.6V |
| 最大功率耗散 | 65.7 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 寬度 | 5mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 29 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 5.99mm |
| 晶體管材料 | Si |
