Infineon 功率 mosfet 利用最新的處理技術，可實現每個硅片區域極低的接通電阻。此設計的其他特點包括 175°c 結點工作溫度、快速切換速度和改進的重復雪崩額定值。這些特點結合在一起、使此設計成為一款極其高效和可靠的設備、適用于汽車應用和各種其他應用。
先進 Advanced process technology
超低接通電阻快速切換
無鉛，符合 RoHS 標準
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 11 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.000175 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |
