產(chǎn)品分類

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      onsemi NTMFS6H818NT1G MOSFET

      訂 貨 號(hào):NTMFS6H818NT1G      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      onsemi NTMFS6H818NT1G MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      汽車功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。

      特點(diǎn)
      體積小巧 (5 x 6 mm)
      低 RDS(接通)
      低 QG 和電容

      優(yōu)點(diǎn)
      緊湊設(shè)計(jì)
      最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
      最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
      應(yīng)用
      開關(guān)電源
      電源開關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半
      橋等)
      48V 系統(tǒng)
      電池管理和保護(hù)
      最終產(chǎn)品
      電動(dòng)機(jī)控制
      直流/直流轉(zhuǎn)換器
      負(fù)載開關(guān)
      電池組和 ESS


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 123 A
      最大漏源電壓 80 V
      封裝類型 DFN
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 5
      最大漏源電阻值 3.7 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 3.8 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      典型柵極電荷@Vgs 46 nC @ 10 V
      長(zhǎng)度 5.1mm
      最高工作溫度 +175 °C
      寬度 6.1mm
      暫無

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