STMicroelectronics 高電壓 n 溝道功率 mosfet 是 mesh DM6 快速恢復二極管系列的一部分。與之前的 mesh 快速生成相比、 DM6 結合了極低的恢復電荷（ qrr ）、恢復時間（ trr ）和每個區域的 rds （接通）極佳改進、具有市場上最有效的切換行為之一、適用于最嚴苛的高效橋接拓撲和 zvs 相移轉換器。
快速恢復體二極管
與上一代相比、每區域的 rds （接通）更低
低柵極電荷、輸入電容和電阻
通過 100% 雪崩測試
dv/dt 穩定極高
提供齊納保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 12 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 338 米Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 4.75V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
