DirectFET? 電源封裝是表面安裝功率 MOSFET 封裝技術。 DirectFET? MOSFET 是先進切換應用中減少能耗同時縮小設計印跡的解決方案。
在各個印跡中均具有行業最低的導通電阻
封裝電阻極低，盡量減少傳導損耗
高效雙面冷卻可顯著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型，僅 0.7mm
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 270 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | L8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 9 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 1 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 125 W |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 長度 | 9.15mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 寬度 | 7.1mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 220 nC @ 10 V |
