SuperFET? III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術實現出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術專門用于最大限度地降低傳導損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常適合用于各種電源系統，以實現小型化和更高的效率。SuperFET III FRFET? MOSFET 中主體二極管的反向恢復性能經過優化設計，無需額外器件，并能提高系統可靠性。
TJ = 150 °C 時為 700 V
低溫運行時系統可靠性更高
超低柵極電荷（典型 Qg = 81 nC）
低切換損耗
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 722 pF）
低切換損耗
優化的電容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
極佳的主體二極管性能（低 Qrr、堅固的主體二極管）
在 LLC 和相移全橋電路中具有更高的系統可靠性
典型 RDS（接通）= 70 m?
應用
電信
云系統
工業
電信電源
服務器電源
太陽能/UPS
EV 充電器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 40 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 82 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 313 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 10.67mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 81 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4.7mm |
