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      Vishay SIP32431DR3-T1GE3 MOSFET

      訂 貨 號:SIP32431DR3-T1GE3      品牌:威世_Vishay

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價:¥0.00

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      公司基本資料信息







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      Vishay SIP32431DR3-T1GE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Vishay 負(fù)載開關(guān)

      Vishay TDFN4 P 通道轉(zhuǎn)換速率控制開關(guān)是一款新產(chǎn)品,具有超低泄漏,靜態(tài)電流轉(zhuǎn)換速率控制和反向阻塞功能。它的功耗為 250mW ,漏 - 源電阻為 147mohm。它具有 1.2A 的輸出電流。負(fù)載開關(guān)具有低輸入邏輯電平,可與微處理器的低控制電壓連接。負(fù)載開關(guān)遵循邏輯高電平啟用控制。緊湊型封裝選項,工作電壓范圍和低工作電流使其非常適合電池電源應(yīng)用。

      特點和優(yōu)勢

      ? 1.5 V 至 5.5 V 輸入電壓范圍
      ?低接通電阻 RDS (接通)
      ?無需偏置電源導(dǎo)軌
      ?工作溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間
      ?反向阻塞功能
      ?轉(zhuǎn)換速率控制開啟時間: 100μs μ s
      ?超低泄漏和靜態(tài)電流: - VIN 靜態(tài)電流 = 0.01 nA - VIN 關(guān)閉泄漏 = 0.20 nA

      應(yīng)用

      ?電池供電設(shè)備
      ?物聯(lián)網(wǎng)
      ?便攜式儀器
      ?便攜式醫(yī)療設(shè)備
      ? 安全系統(tǒng)
      ? 智能儀表
      ?可穿戴
      ?無線傳感器網(wǎng)絡(luò)

      認(rèn)證

      ? ANSI/ESD S20.20 : 2014
      ? BS EN 61340-5-1 : 2007


      暫無

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