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      Toshiba TJ15P04M3 MOSFET

      訂 貨 號:TJ15P04M3      品牌:東芝_Toshiba

      庫存數量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環 球 價: 登陸后可查看

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      Toshiba TJ15P04M3 MOSFET
      產品詳細信息

      低漏-源通態電阻:RDS(接通)= 28 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)
      低泄漏電流:IDSS = -10 μA(最大值)(VDS = -40 V)
      增強模式:Vth = -0.8 至 -2.0 V(VDS = -10 V,ID = -0.1 mA)
      應用:
      電機驅動器
      電源管理開關


      屬性 數值
      通道類型 P
      最大連續漏極電流 15 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 DPAK
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 48 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 2V
      最小柵閾值電壓 0.8V
      最大功率耗散 29 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      寬度 7.18mm
      最高工作溫度 +150 °C
      每片芯片元件數目 1
      典型柵極電荷@Vgs 26 nC @ 10 V
      長度 6.6mm
      暫無

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