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      Toshiba TJ15P04M3 MOSFET

      訂 貨 號:TJ15P04M3      品牌:東芝_Toshiba

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Toshiba TJ15P04M3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      低漏-源通態(tài)電阻:RDS(接通)= 28 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)
      低泄漏電流:IDSS = -10 μA(最大值)(VDS = -40 V)
      增強(qiáng)模式:Vth = -0.8 至 -2.0 V(VDS = -10 V,ID = -0.1 mA)
      應(yīng)用:
      電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
      電源管理開關(guān)


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 15 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 DPAK
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 48 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 2V
      最小柵閾值電壓 0.8V
      最大功率耗散 29 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      寬度 7.18mm
      最高工作溫度 +150 °C
      每片芯片元件數(shù)目 1
      典型柵極電荷@Vgs 26 nC @ 10 V
      長度 6.6mm
      暫無

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