STMicroelectronics 功率 mosfet 利用寬帶隙材料 Advanced 、 innovative properties 。這使得每個裝置區域具有卓越的接通電阻和非常好的切換性能、幾乎不受溫度影響。sic 材料的出色熱性能與專有 HiP247 封裝中的器件外殼相結合、使設計人員可以使用行業標準外形、并顯著提高散熱能力。這些功能使該設備特別適用于高效率和高功率密度應用。
易于驅動
低電容
非常快速且堅固的固有主體二極管
切換損耗與相比略有變化溫度
極高的工作溫度能力（ 200 °c ）
導通電阻與之間的差異非常小溫度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 12 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | HiP247 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.55 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | SiC |
