the Infineon 600V coolmos ? P7 超結（ sj ） mosfet 是 600V coolmos ? P6 系列的后繼產品。它繼續在設計過程中兼顧對高效率的需求與易用性。杰出的 r onxa 和 coolmos ? 7th 系列平臺固有的低柵極電荷 (qg ) 確保了其高效率。
≥ 2kV 的 esd 堅固性（ hbm 2 類）
集成柵極電阻器 r g
堅固的體二極管
廣泛的產品組合、采用通孔和表面安裝封裝
提供標準級和工業級部件
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 18 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 180 米Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
