功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝，設計用于緊湊型高效設計，包括高熱性能。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 25 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | DFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 31.5 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 28 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 5 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.1mm |
| 寬度 | 5.1mm |
