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      Taiwan Semiconductor TSM70N600CI C0G MOSFET

      訂 貨 號(hào):TSM70N600CI C0G      品牌:

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Taiwan Semiconductor TSM70N600CI C0G MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Taiwan Semiconductor N 通道 MOSFET 是 3 引腳增強(qiáng)通道模式,柵極閾值電壓為 4V。

      超接合技術(shù)
      小品質(zhì)因數(shù)確保高性能
      高堅(jiān)固性性能
      高換向性能


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 8 A
      最大漏源電壓 700 V
      封裝類型 ITO-220
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 600 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 32 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±30 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 4.6mm
      典型柵極電荷@Vgs 12.6 nC @ 10 V
      長(zhǎng)度 10mm
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無

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