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ROHM SCT3060ALGC11 MOSFET

訂貨號：SCT3060ALGC11 品牌：LG

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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ROHM SCT3060ALGC11 MOSFET

產(chǎn)品詳細信息

低接通電阻，快速切換速度，快速反向恢復，易于并行且易于驅動，無鉛引線電鍍，符合 RoHS 標準

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	39 A
最大漏源電壓	650 V
封裝類型	TO-247N
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	79.2 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	5.6V
最小柵閾值電壓	2.7V
最大功率耗散	134 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	22 V
典型柵極電荷@Vgs	58 nC @ 18 V
長度	16mm
最高工作溫度	+175 °C
晶體管材料	SiC
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	5mm

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