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      Vishay SQ3460EV-T1_GE3 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：SQ3460EV-T1_GE3        品牌：威世_Vishay
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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      公司基本資料信息
      
   



      

      



      

      
          
   
        
      
        
      
     
      
      
      
           
      
                
        
                   
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               Vishay SQ3460EV-T1_GE3 MOSFET
      產品詳細信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      N 通道 MOSFET，汽車 SQ 堅固系列，Vishay Semiconductor
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            來自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 適用于要求堅固性和高可靠性的汽車應用。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                    
                        
      SQ 堅固系列 MOSFET 的優(yōu)點
      
                    
                
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            ? 符合 AEC-Q101 標準
      ? 接點溫度高達 +175°C
      ? 低導通電阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET? 技術
      ? 創(chuàng)新型節(jié)省空間封裝選項 
                        
                    
      
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            
                
                    
      認可
      
                    
      
                        
                            AEC-Q101 
                        
                    
      
                
                
                
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor
      
                    
                
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
                
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    8 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    20 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    TSOP
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    6
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    53 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最小柵閾值電壓
                    0.4V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    3.6 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -8 V、+8 V
                
      
            
                
      
                    寬度
                    1.7mm
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    9.3 nC @ 4.5 V
                
      
            
                
      
                    長度
                    3.1mm
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +175 °C
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

      暫無
      
          
      
          
      
               
        
      
        
       
   
                   
      
            
      
            
      

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