特點
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
SkyFET? 低側 MOSFET，集成了
肖特基
應用
CPU 內核功率
計算機/服務器外圍設備
POL
同步降壓轉換器
電信直流/直流
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 40（通道 1）A、60（通道 2）A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | PowerPAIR 6 x 5 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 6 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.1V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.4V |
| 最大功率耗散 | 26.6 w 、 60 w |
| 最大柵源電壓 | +16 v 、 +20 v 、 -12 v 、 -16 v |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 寬度 | 6mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 5mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 14.6（通道 1）nC @ 10 V、62（通道 2）nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
