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訂 貨 號(hào):SiZ342ADT-T1-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

Vishay dual n 溝道 30 v ( d-s ) mosfet 是高側(cè)和低側(cè) mosfet 、可提供 50% 負(fù)載循環(huán)的優(yōu)化組合。
trench場(chǎng) 效應(yīng)第四代功率 mosfet
封裝 powerpir 3 x 3
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 33.4 a |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | PowerPAIR 3 x 3 |
| 引腳數(shù)目 | 9 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0094 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 2.4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |