Vishay dual n 溝道 30 v ( d-s ) mosfet 是高側(cè)和低側(cè) mosfet 、可提供 50% 負載循環(huán)的優(yōu)化組合。
trench場 效應第四代功率 mosfet
封裝 powerpir 3 x 3
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 33.4 a |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | PowerPAIR 3 x 3 |
引腳數(shù)目 | 9 |
最大漏源電阻值 | 0.0094 Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |