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      Toshiba TPN4R303NL MOSFET

      訂 貨 號:TPN4R303NL      品牌:東芝_Toshiba

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Toshiba TPN4R303NL MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      高效直流-直流轉(zhuǎn)換器
      開關(guān)穩(wěn)壓器
      高速切換
      小柵極電荷:QSW = 3.9 nC(典型值)
      低漏-源通態(tài)電阻:RDS(接通)= 5.1 mΩ(典型值)(VGS = 4.5 V)
      低泄漏電流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)
      增強(qiáng)模式:Vth = 1.3 至 2.3 V(VDS = 10 V,ID = 0.2 mA)


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 63 A
      最大漏源電壓 30 V
      封裝類型 TSON
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 6.3 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 2.3V
      最小柵閾值電壓 1.3V
      最大功率耗散 34 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      最高工作溫度 +150 °C
      寬度 3.1mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      長度 3.1mm
      典型柵極電荷@Vgs 14.8 nC @ 10 V
      暫無

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