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      onsemi FCP4N60 MOSFET

      訂 貨 號:FCP4N60      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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      onsemi FCP4N60 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      SuperFET? 和 SuperFET? II N 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

      Fairchild 使用超級結(jié)技術(shù)增加了 SuperFET? II 高電壓功率 MOSFET 系列。 它提供最佳堅固主體二極管性能,適用于要求高功率密度、系統(tǒng)效率和可靠性的交流-直流開關(guān)模式電源 (SMPS) 應(yīng)用,如服務(wù)器、電信、計算、工業(yè)電源、UPS/ESS、太陽能逆變器和照明應(yīng)用。
      利用先進的電荷平衡技術(shù),設(shè)計人員可實現(xiàn)更高效經(jīng)濟的高性能解決方案,可占用更少板空間并提高可靠性。

      半導體 MOSFET 晶體管,半

      在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
      在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 3.9 A
      最大漏源電壓 600 V
      封裝類型 TO-220
      安裝類型 通孔
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 1.2 Ω
      通道模式 增強
      最小柵閾值電壓 3V
      最大功率耗散 50 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      晶體管材料 Si
      典型柵極電荷@Vgs 12.8 nC @ 10 V
      寬度 4.83mm
      長度 10.67mm
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無

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