產(chǎn)品分類 
         
         
        
         
      
       
      
     
      
   
      
      
       
    
    

   
      
     
      
        
      
         
      
         
      分類：
               
       工業(yè)電氣產(chǎn)品    工業(yè)控制產(chǎn)品    傳感測量產(chǎn)品    儀表工具產(chǎn)品    工業(yè)電子產(chǎn)品    機械設備產(chǎn)品   
      
         
      
       
      
       
      
         
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      Vishay SIHB15N60E-GE3 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：SIHB15N60E-GE3        品牌：威世_Vishay
      
                      
       庫存數(shù)量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
       環(huán) 球 價：
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      公司基本資料信息
      
   



      

      



      

      
          
   
        
      
        
      
     
      
      
      
           
      
                
        
                   
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      • 產(chǎn)品介紹 
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      • 產(chǎn)品屬性
        • 
             
      • 相關資料
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      • 產(chǎn)品評價（0）
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               Vishay SIHB15N60E-GE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      N 通道 MOSFET，E 系列，低品質因數(shù)，Vishay Semiconductor
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Vishay E 系列 MOSFET 電源是高電壓晶體管，具有超低最大接通電阻、低靈敏值和快速切換功能。 它們提供各種電流額定值。 典型應用包括服務器和電信電源、LED 照明、回掃轉換器、功率因數(shù)校正 (PFC) 和開關模式電源 (SMPS)。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                    
                        
      特點
      
                    
                
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            低靈敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
      低輸入電容 (Ciss)
      低接通電阻（RDS（接通））
      超低柵極電荷 (Qg)
      快速切換
      減少切換和傳導損耗 
                        
                    
      
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor
      
                    
                
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    15 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    600 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    D2PAK (TO-263)
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    280 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最小柵閾值電壓
                    2V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    180 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -20 V、+20 V
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    38 nC @ 10 V
                
      
            
                
      
                    長度
                    10.67mm
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
                
      
                    寬度
                    9.65mm
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

      暫無
      
          
      
          
      
               
        
      
        
       
   
                   
      
            
      
            
      

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