產(chǎn)品分類

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      Infineon IPB083N15N5LFATMA1 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IPB083N15N5LFATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPB083N15N5LFATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon ? 線性場(chǎng)效應(yīng)管是一種革命性的方法、可避免通態(tài)電阻( r ds ( on ))與線性模式功能之間的取舍、即在增強(qiáng)型模式 mosfet 的飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行。它提供最先進(jìn)的溝道 mosfet r ds ( on )以及經(jīng)典平面 mosfet 的寬安全工作區(qū)域。

      低 r ds ( on )和寬安全工作區(qū)域的組合 ( soa )
      高最大脈沖電流
      高連續(xù)脈沖電流
      堅(jiān)固的線性模式操作
      低傳導(dǎo)損耗
      更高的浪涌電流可實(shí)現(xiàn)更快的啟動(dòng)和更短的啟動(dòng) 時(shí)間


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 105 A
      最大漏源電壓 150 V
      封裝類型 Pg- TO263
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 0.0083 o
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4.9V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      暫無(wú)

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