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      Texas Instruments CSD16301Q2 MOSFET

      訂 貨 號:CSD16301Q2      品牌:德州儀器_Texas Instruments

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

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      Texas Instruments CSD16301Q2 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments

      MOSFET 晶體管,Texas Instruments


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 5 A
      最大漏源電壓 25 V
      封裝類型 SON
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 6
      最大漏源電阻值 34 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 1.55V
      最小柵閾值電壓 0.9V
      最大功率耗散 2.3 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -8 V,+10 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      晶體管材料 Si
      寬度 2mm
      典型柵極電荷@Vgs 2 nC @ 4.5 V
      長度 2mm
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無

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