產(chǎn)品分類(lèi)

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      Infineon IPD25N06S4L30ATMA2 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IPD25N06S4L30ATMA2      品牌:英飛凌_Infineon

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPD25N06S4L30ATMA2 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      the Infineon ? T2 功率晶體管的最大漏極源電壓為 60V 、 n 通道、汽車(chē) mosfet 、采用 dak ( to-252 )封裝類(lèi)型。

      N 通道 - 增強(qiáng)模式
      符合 aec Q101 標(biāo)準(zhǔn)
      MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
      175°C 工作溫度
      綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn))
      100% 雪崩測(cè)試


      屬性 數(shù)值
      通道類(lèi)型 N
      最大連續(xù)漏極電流 25 A
      最大漏源電壓 60 V
      封裝類(lèi)型 DPAK (TO-252)
      安裝類(lèi)型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 0.3. Ω
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 2.2V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      晶體管材料 Si
      暫無(wú)

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