產(chǎn)品分類

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      Nexperia PMV100ENEAR MOSFET

      訂 貨 號(hào):PMV100ENEAR      品牌:PMV

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      Nexperia PMV100ENEAR MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      30 V,N 溝道 Trench MOSFET,N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝,采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

      邏輯電平兼容
      超快切換
      Trench MOSFET 技術(shù)
      靜電放電 (ESD) 保護(hù):> 2 kV HBM
      符合 AEC-Q101
      繼電器驅(qū)動(dòng)器
      高速線路驅(qū)動(dòng)器
      低側(cè)負(fù)載開關(guān)
      開關(guān)電路


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 3 A
      最大漏源電壓 30 V
      封裝類型 SOT23, TO-236AB
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 118 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 2.5V
      最小柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 4.5 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 20 V
      每片芯片元件數(shù)目 3
      寬度 1.4mm
      典型柵極電荷@Vgs 3.6 nc @ 10 v
      長(zhǎng)度 3mm
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無(wú)

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