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      onsemi NVMFD6H852NLT1G MOSFET

      訂 貨 號:NVMFD6H852NLT1G      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      onsemi NVMFD6H852NLT1G MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      體積小巧 (5 x 6 mm),可實現(xiàn)緊湊設(shè)計
      低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
      低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動器損耗
      NVMFD6H852NLWF ? 可潤側(cè)翼選件,用于增強型光學(xué)檢驗
      支持 PPAP
      這些設(shè)備無鉛


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 25 A
      最大漏源電壓 80 V
      封裝類型 DFN
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 31.5 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 2V
      最小柵閾值電壓 1.2V
      最大功率耗散 3.2 W
      晶體管配置 雙路
      最大柵源電壓 ±20 V
      寬度 5.1mm
      最高工作溫度 +175 °C
      每片芯片元件數(shù)目 2
      長度 6.1mm
      典型柵極電荷@Vgs 10 nC @ 10 V
      暫無

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