STMicroelectronics 極高電壓 N 溝道功率 MOSFET 采用基于創新專有垂直結構的 MDmesh ? K5 技術設計。因此可顯著降低接通電阻和超低柵極電荷，適用于需要卓越功率密度和高效率的應用。
全球最佳 FOM (業績數字)
超低柵極電荷
通過 100% 雪崩測試
提供齊納保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 12 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | H2PAK-2 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.69 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.9V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | SiC |
