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訂 貨 號(hào):NTMFD5C674NLT1G 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

工業(yè)功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。
低接通電阻
高電流容量
體積小巧 (5 x 6 mm)
優(yōu)點(diǎn)
最低傳導(dǎo)損耗
可靠負(fù)載性能
緊湊設(shè)計(jì)
應(yīng)用
電動(dòng)機(jī)控制
同步直流到直流調(diào)節(jié)器
電源開(kāi)關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋等)
電池管理和保護(hù)
最終產(chǎn)品
電池組
電源
旋轉(zhuǎn)無(wú)人機(jī)
電動(dòng)工具
以太網(wǎng)供電 (PoE)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 42 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | DFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 14.4 mΩ |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 2.2V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 37 W |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 4.7 nC @ 4.5 V |
| 長(zhǎng)度 | 5.1mm |
| 寬度 | 6.1mm |