on ON Semiconductor 單 n 溝道 100V mosfet 采用全新技術(shù)、與硅相比、可提供卓越的切換性能和更高的可靠性。此外、低接通電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。因此、系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括最高效率、 Faster 操作頻率、增加功率密度、降低 emi 和減小系統(tǒng)尺寸。

連續(xù)漏極電流額定值為 60A
漏極到源接通電阻額定值為 9.0mohm
低 rds （接通）可最大程度減少傳導(dǎo)損耗
優(yōu)化的切換性能
低 qg 和電容、可最大程度減少驅(qū)動(dòng)器損耗
業(yè)界最低的 qrr 和最軟的主體二極管，可提供卓越的低噪聲性能 切換
降低切換噪聲/EMI
高效、開(kāi)關(guān)尖峰和 emi 更低
封裝類型為 D2PAK3