on ON Semiconductor 單 n 溝道 100V mosfet 采用全新技術、與硅相比、可提供卓越的切換性能和更高的可靠性。此外、低接通電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。因此、系統優勢包括最高效率、 Faster 操作頻率、增加功率密度、降低 emi 和減小系統尺寸。
連續漏極電流額定值為 60A
漏極到源接通電阻額定值為 9.0mohm
低 rds （接通）可最大程度減少傳導損耗
優化的切換性能
低 qg 和電容、可最大程度減少驅動器損耗
業界最低的 qrr 和最軟的主體二極管，可提供卓越的低噪聲性能 切換
降低切換噪聲/EMI
高效、開關尖峰和 emi 更低
封裝類型為 D2PAK3
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 60 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | D2PAK3 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 9 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
